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[武汉华星光电]武汉光电:研发下一代存储芯片 芯片读写速度比现在快1000倍

时间:2018-08-04   来源:科技新闻   点击:

武汉光电国家研究中心研发团队正在全力研发“下一代存储芯片”。研发负责人、教育部“长江学者”特聘教授、华中科技大学光电学院副院长缪向水称,“我们正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术,预计明年能在实验室研发成功。到时候,芯片的读写速度会比现在快1000倍,可靠性提高1000倍,一旦产业化成功,将颠覆产业格局。目前,英特尔等产业巨头也在研究这一方向。”

  点评:芯片进口额从2015年起已连续3年超过原油,成为我国第一大进口商品。2017年中国芯片进口量高达3770亿块,进口额为2601 亿美元,折合人民币高达17561亿元。而在芯片领域,存储芯片是产值和需求量第一的芯片,占芯片总产值近25%。预计到2020年国内存储芯片的市场规模到5000亿元。而当前我国95%的存储器芯片依靠进口。未来5-10年阶段,国产化的存储芯片进口替代空间巨大。从存储芯片的技术趋势来看,随着存储芯片的存储密度指数增长,芯片的制造从传统 的2D向3D转变,而中国企业与全球竞争对手在3D布局的差距相对更小,国内企业未来有望借助3D存储技术和贴近国内巨大需求市场实现弯道超车。

  紫光国芯(002049)在接受机构调研时表示,正在进行“高性能第四代DRAM存储器芯片产品”的研发。南大光电(300346)主营光电新材料MO源。MO源是制造相变存储器的核心原材料,这两只股票配资炒股可适当关注。


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